В. Пестриков - Энциклопедия радиолюбителя

• Название: Энциклопедия радиолюбителя
• Автор: В. Пестриков
• Издательство: "Наука и Техника"
• Жанр: Радиотехника
• Год: 2001
• ISBN: 5-94387-039-3

Энциклопедия приглашает читателя в страну практической электроники. Основная цель книги — заинтересовать различного возраста читателей радиоэлектроникой и компьютерной техникой, а также помочь в овладевании основами электроники как в теоретических, так и практических ее аспектах.

В книге много полезных, в практическом плане, радиоэлектронных схем, снабженных полным описанием технологии их изготовления, которые могут быть сделаны самостоятельно начинающим радиолюбителем. Большую пользу в практическом радиолюбительском конструировании призваны оказать имеющиеся в книге справочные материалы по различным направлениям радиоэлектроники, а также словарь терминов радиоэлектроники.

Книга предназначена для широкого круга читателей, интересующихся практической радиоэлектроникой. Она может быть полезна как школьникам, выбирающим трудовой путь, так и студентам технических вузов, специализирующимся в данной области знаний, а также деловым людям, желающим вложить и приумножить свой капитал на ниве радиовещания.

---

Основными параметрами полевых транзисторов являются:

• напряжение отсечки Uo — приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;

• максимальный ток стока Iс.макс;

• напряжения: между затвором и стоком Uзс, между стоком и истоком Uси и между затвором и истоком Uзи;

• входная Свх, проходная Спр и выходная Свых емкости.

Система обозначений

Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции.

Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:

Низкочастотные (до 5 МГц):

• 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;

• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;

• 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.

Высокочастотные (свыше 5 МГц):

• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;

• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;

• 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;

• 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.

Например, П416Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.

В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:

1 элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.

2 элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).

3 элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.

Транзисторы малой мощности, Ртах < 0,3 Вт:

1 — маломощный низкочастотный, fгр< 3 МГц;

2 — маломощный среднечастотный, 3 < fгр< 30 МГц;

3 — маломощный высокочастотный, 30 < fгр < 300 МГц.

Транзисторы средней мощности, 0,3 < Ртах < 1,5 Вт:

4 — средней мощности низкочастотный;

5 — средней мощности среднечастотный;

6 — средней мощности высокочастотный.

Транзисторы большой мощности, Ртах > 1,5 Вт:

7 — большой мощности низкочастотный;

8 — большой мощности среднечастотный;

9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (fгр > 300 Гц).

4 элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.

5 элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.

Например, КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б. При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколевка транзисторов, широко используемых радиолюбителями, дана на рис. 2.2.

Рис. 2.2. Цоколевка отечественных транзисторов

Цветовая и цифровая маркировка

Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв. Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2.3…2.5 и в табл. 2.2…2.4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 2.5).

Рис. 2.3. Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92)

Рис. 2.4. Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92)

Рис. 2.5. Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126)

Таблица 2.4. Цветовая и кодовая маркировки транзисторов

2.3. Интегральные микросхемы

Общая характеристика

Интегральная микросхема (ИС) представляет собой функциональный миниатюрный микроэлектронный блочок, в котором содержатся транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и другие радиоэлементы, которые выполнены методом молекулярной электроники. Находящиеся в небольшом объеме радиоэлементы образуют микросхему определенного назначения. По конструктивно-технологическому выполнению микросхемы делятся на несколько основных групп: гибридные, полупроводниковые (монолитные) и пленочные. Гибридные микросхемы выполняются на диэлектрической подложке с использованием монтажа дискретных радиокомпонентов пайкой или сваркой на контактных площадках. В полупроводниковых ИС все элементы схемы формируются в кристалле полупроводника. В пленочных ИС радиоэлементы выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрика. Все эти микросхемы делятся на схемы с малой (до 10 элементов), средней (10…100 элементов) и большой (свыше 100 элементов) степенью интеграции. Промышленность выпускает большое количество самых разнообразных ИС, которые в зависимости от функционального назначения делят на аналоговые и цифровые (логические). Аналоговые микросхемы применяют для генерации, усиления и преобразования сигналов. Цифровые ИС служат для обработки дискретного сигнала, выраженного в двоичном или цифровом коде, поэтому их чаше называют логическими микросхемами. Эти микросхемы применяют в вычислительной технике, автоматике и в других областях промышленности.

Интегральные микросхемы характеризуются следующими основными параметрами:

• Напряжением питания Uп.

• Мощностью потребления энергии элементом от источника питания Рп (в заданном режиме).

• Помехоустойчивостью Uпом, наибольшее напряжение помехи на входе ИС, которое не вызывает. нарушения правильности работы элемента.

Микросхемы сохраняют свои параметры только в том случае, если выполнены технические условия норм их эксплуатации. Нормы эксплуатации ИС обычно содержатся в справочниках или прилагаемом к ним паспорте.

По конструктивному выполнению ИС подразделяют на имеющие корпус и бескорпусные. Существует 5 основных типов корпусов:

первый тип… прямоугольный с выводами, перпендикулярными плоскости основания;

второй тип… прямоугольный с выводами, перпендикулярными плоскости основания, выходящими за пределы проекции корпуса;

третий тип… круглый;

четвертый тип… прямоугольный с выводами, расположенными параллельно плоскости основания и выходящими за пределы его тела в этой плоскости;

пятый тип… прямоугольный «безвыводной корпус».

Маркировка

Система маркировки ИС определяет их технологическую разновидность, функциональное назначение и принадлежность к определенной серии. Условное обозначение ИС, в основном, состоит из пяти элементов:

1 элемент… буква, указывает на область применения микросхемы в бытовой или промышленной аппаратуре;

2 элемент… цифра, показывающая вид конструктивно-технологического исполнения (1, 5, 6, 7 — полупроводниковые, 2, 4, 8 — гибридные, 3 — прочие);